近日，貴金屬集團主導(dǎo)完成的科技成果《芯片用高純金和高純鉑蒸發(fā)材料制備關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用》獲得2023年度中國有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎科技進步一等獎。

該項目針對我國高純金和高純鉑蒸發(fā)材料純度低、缺陷多、流程長、能耗高等問題，開發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的芯片用高純金蒸發(fā)材料規(guī)則顆粒短流程制備新工藝，以及化學(xué)沉淀除雜——電位調(diào)控還原——離子交換——液相還原的全濕法制備高純鉑原料新工藝，流程簡短，雜質(zhì)去除效果好，產(chǎn)品純度高，且大量減少NOx、HCl等有害物質(zhì)排放，系國內(nèi)首創(chuàng)。產(chǎn)品性能均滿足芯片制造要求，項目整體技術(shù)水平處于國際先進，部分技術(shù)指標達到國際領(lǐng)先，實現(xiàn)了高純金和高純鉑蒸發(fā)材料進口替代。

本項成果的取得，推動了我國貴金屬新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提升了企業(yè)市場競爭力，將為下游電子信息產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展提供更好技術(shù)及原料保障。